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元器件采购网 > N-147页 > RF 晶体管 (BJT)NESG2101M16-T3-A

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NESG2101M16-T3-A

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NESG2101M16-T3-A参数
产品类别:分离式半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
说明:TRANS NPN 2GHZ M16
包装数量:10000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):5V
频率 - 转换:17GHz
噪声系数(dB典型值@频率):0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz
增益:11dB ~ 13dB
功率 - 最大:190mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):130 @ 15mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

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